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NTD4857N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN--SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 30 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.88
0.74
1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
11.7
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dIS/dt = 100 A/ m s,
I S = 30 A
7.2
4.5
3.2
ns
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
Drain Inductance, DPAK
L S
L D
2.49
0.0164
nH
Drain Inductance, IPAK
Gate Inductance
L D
L G
T A = 25 ° C
1.88
3.46
Gate Resistance
R G
0.6
Ω
3. Pulse Test: pulse width ≤ 300 m s, duty cycle ≤ 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
3
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